IT-новости

Компания Intel, и самые крупные изготовители материнской платы (dynamic random access memory, DRAM) ждут продолжения оперативной развития технологии DDR4 в обозримые годы. Кроме повышения тактовых частот и скорости передачи данных, микросхемы DDR4 повысят предельную ёмкость до 16 Гбит во 2-й половине 2015 года. И более того, модули памяти ёмкостью 16 Гигабайт в скором времени подорожают до значений, хороших для глобального рынка.

Наиболее критичными улучшениями в развития технологий материнской платы при проходе от одного поколения к другому считаются повышение пропускной возможности и ёмкости микросхем, и падение их энергопотребления. Такие усовершенствования дают возможность поднять мощность вычисляемых механизмов, и отвечать растущим нуждам в объёме материнской платы со стороны компьютеров (прежде всего) и абонентных механизмов вроде ПК и телефонов. При разработке стереотипа DDR4, создатели устанавливали впереди себя цель повысить предельную скорость передачи данных до 4266 Мтрансферов/с (очень многие начальные многообещающие проекты JEDEC показывают на 3200 Мтрансферов/с как предельную скорость для DDR4, но позднее очень многие изготовители начали говорить о намного более повышенной пропускной возможности), но предельную ёмкость микросхем до 16 Гбит.

Превосходства DDR4

На сегодняшний день все большие изготовители DRAM изучили выпуск микросхем DDR4 ёмкостью 8 Гбит, но высота в 3200 Мтрансферов/с для широко производимых микросхем была пройдена организацией «Самсунг» раньше в 2018 году. Так как иные изготовители пока не изучили выпуск чипов DDR4-3200, организация Intel негативно сообщила на Intel Developer Forum, что нынешние микросхемы памяти готовы работать в режиме DDR4-2933, но в 2016 году они сумеют работать на 9 % стремительней.

Многообещающий план формирования микросхем и модулей памяти DDR4

Что не менее принципиально, во 2-й половине 2015 года должны выйти первые микросхемы DDR4 ёмкостью 16 Гбит. Это раскроет двери для образования не только лишь сравнительно доступных 16- и 32-Гбайт модулей памяти, но также и для применения четырёхслойных производств из подобных микросхем для образования 256-Гбайт модулей вида RDIMM/LRDIMM для компьютеров. Сложно сообщить, какая будет скорость передачи данных у микросхем ёмкостью 16 Гбит, но учитывая формальную помощь DDR4-2400 микропроцессорами Intel Xeon E5 v4 и Intel Core i7 Extreme 6000-серии, логично, что свежие микросхемы в точности не будут медленнее.

Интересно, что благодаря присутствию широко производимых микросхем памяти DDR4-3200 и впечатляющему частотному потенциалу у безотносительного многих сегодняшних чипов DDR4, Intel приняла решение официально сохранять модули памяти DDR4-2400 микропроцессорами поколения Kaby Lake. Так что, системы на основе Intel Core 7000-серии сумеют несколько повысить мощность в целях совместного предназначения, и, что не менее принципиально для абонентных ПК, в графических дополнениях, чувствительных к пропускной возможности памяти. Все-таки, ряд специальных платформ, вроде процессоров со сверхнизким энергопотреблением либо стоимостью, продолжат применять DDR3L и LPDDR3 в скором времени.

Превосходства DDR4, DDR3L и LPDDR3

В Intel ждут, что разработка стандартного стереотипа DDR5 (на IDF было озвучено как раз это наименование) закончится к концу 2016 года, но в изготовление свежий вид памяти пойдёт приблизительно в 2020 году. В 2016 г организация «Самсунг» обсуждала возможности наследника DDR4 и при этом упомянула не только лишь скорость передачи данных в 6400 Мтрансферов/с и ёмкость микросхем в 32 Гбита, но также и вероятные строительные ограничения нынешних интерфейсов модулей памяти. К чему в конечном итоге пришли создатели стереотипа DDR5, у нас есть возможность выяснить очень скоро, если соблюдать условие, что JEDEC примет и разместит по крайней мере грязный вариант стереотипа DDR5 в середине 2014 г.