07d194c2

GlobalFoundries добавила 12-нм нормы в собственные проекты формирования FD-SOI

При идеи об организации GlobalFoundries практически у всех сегодня появляется организация с её 14-нм производственными общепризнанными мерками на базе транзисторов FinFET, по которым изготовляются чипсеты для графических адаптеров AMD Polaris. Однако это только один из техпроцессов, которые GlobalFoundries предлагает собственным заказчикам. К примеру, иными распространенными общепризнанными мерками считаются 22-нм 22FDX на базе планарных транзисторов и технологии целиком обеднённого кремния на изоляторе (FD-SOI).

Организация подчеркивает, что 22FDX прекрасно подходит для тех примеров, когда заказчику необходима большая мощность, сравнительно невысокое потребление и дешевая стоимость изготовления, в особенности в продуктах, где нужно встроить радиомодемы, аналоговые модули, память и логику на одном чипсете. Все дело в том, что по мощности и прочим данным он продвигается к 14/16-нм общепризнанным меркам FinFET, однако при этом не требует применения дорогой EUV-литографии, но микролит требует в два раза меньше масок, впрочем и занимает существенно больше площади. В итоге добивается сравнительно дешевизна, на уровне 28-нм общепризнанных мерок.

По словам GlobalFoundries, новое поколение технологии, 12FDX, сумеет снабдить мощность на уровне с 10-нм техпроцессом FinFET, выдаваясь при этом большей энергоэффективностью и большей ценой сравнивая с 16-нм общепризнанными мерками FinFET. Превосходство над сегодняшними технологиями FinFET по мощности составит 15 %, но по энергоэффективности — 50 %.

GlobalFoundries планирует изучить 12-нм нормы FD-SOI на собственной фабрике Fab 1 в Дрездене (Германия). Однако произойдёт это далеко не вскоре — полупроводниковая кузня ждет, что первые чипсеты достигнут ступени готовности к изготовлению (tape out) на данном техпроцессе только в 1-й половине 2019 года.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий