IT-новости

В заключительные несколько лет полупроводниковая индустрия сделала большой прыжок в сфере технологий изготовления памяти. Традиционная DRAM в том либо другом виде с нами не 1 десяток лет, однако выход свежих механизмов, нуждающихся в больших скоростях передачи данных, вызвал возникновение на свет нового вида памяти — HBM. В первый раз она была проверена организацией AMD в картинном микропроцессоре Fiji, который стал базой графических адаптеров Radeon R9 Fury X, Fury и Нано, и Radeon Pro Duo.

Даже в первой инкарнации 4 комплектации HBM сумели снабдить пропускную дееспособность на уровне 512 Гигабайт/с, чего сегодня не в состоянии даже новый Nvidiа Титан X с 384-битной памятью GDDR5X (480 Гигабайт/с). Спустя год «Самсунг» удалось в необходимой мере приумножить объёмы изготовления новой версии двухслойной скоростной памяти HBM2, которая обнаружила своё применение в вычисляемых ускорителях Nvidiа Тесла P100. Они привозятся на рынок супервычислений и пасмурных систем начиная со 2-го квартала 2016 года.

уже ни для кого не является секретом, что стандартная DRAM впрочем и просуществует на рынке довольно продолжительно, будущее принадлежит двухслойной памяти — HBM и прочим подобным технологиям. Кроме того HBM находится на упаковке рядом с ЦП либо ГП и не требует очень много места, что дает возможность сделать системы с её применением не менее малогабаритными. Однако HBM2 пока свежий, дорогой продукт, выпускающийся в мало групповых числах. Мы знаем, что изготовление HBM2 «Самсунг» начала в I квартале 2014 г, но SK Hynix опаздывает и лишь планирует начать выпуск собственного вида HBM2 в данном месяце.

На событии Hot Chips 28 обе компании показали собственные сборники производимых товаров и проекты на будущее сравнительно двухслойной памяти. По размещенным слайдам, у HBM2 есть по меньшей мере 2 замены либо ответвления — HBM3 и low cost HBM. Заключительная представляет специфический энтузиазм. Данная удешевлённая модификация HBM была показана «Самсунг» как оптимальное по стоимости решение, передовое HBM1, однако несколько уступающее в мощности HBM2. Удешевление достигнуто за счёт понижения с 1024 до 512 числа пронзительных комплектацию кристаллов TSV — объединений, при помощи которых кристаллы HBM и разговаривают с внутренним миром.

В итоге выходит память, способная гарантировать скорость 3 Гигабайт/с на контакт и 200 Гигабайт/с на комплектацию против 256 Гигабайт/с на комплектацию у полновесной HBM2. 512-битный внешний вид доступа с 2-мя либо 4-мя комплектациями обозначает 1024 либо 2048 Мбайт. «Самсунг» заявляет, что она может без проблем выполнять такие чипсеты в групповых числах и заполонить ими рынок. В то же самое время, когда HBM2 ещё не смогла покорить рынка, обе компании — «Самсунг» и SK Hynix — готовятся к подготовке и производству нового поколения двухслойной памяти, так именуемой xHBM либо HBM3. 1-ое наименование свойственно для «Самсунг», 2-ое применяется SK Hynix.

Характеристики нового стереотипа ещё далеки от финализации, однако главные факторы новой технологии были объявлены. HBM3 снабдит в два раза отличную пропускную дееспособность и будет владеть интересной стоимостью. Речь идёт о скоростях порядка 512 Гигабайт/с на комплектацию против 256 Гигабайт/с у HBM2. 4 подобных кристалла без проблем сумеют снабдить пропускную дееспособность на уровне 2 Тбайт/с. Однако в работе такие числа мы увидим скоро; коллеги с WCCFTech считают, что речь идёт о картах памяти, которые будут по меньшей мере после Nvidiа Volta.

Изготовители памяти продолжают обсуждать такие характеристики HBM3, как себестоимость, форм-факторы, потребление и насыщенность упаковки. В настоящее время HBM2 может снабдить ёмкость до 48 Гигабайт, таким образом с внедрением HBM3 необходимо ждать чисел от 64 Гигабайт. Не одной HBM в добром здравии промышленность памяти. Как было произнесено, DRAM ещё продолжительно будет находиться на рынке, и организация Micron объявила собственные проекты в отношении этого вида памяти.

Ожидается, что квалифицированные поставки чипов DDR5 DRAM стартуют в 2018 году, но многочисленное изготовление подобных микросхем (и модулей памяти) развернётся годом позднее, в 2019 г. Главной отличительной чертой DDR5 по сравнению с DDR4 считается в два раза отличная пропускная дееспособность и усилие питания, образующее всего 1,1 вольта. Это значит увеличение тактовых частот, но ёмкость будет колебаться в краях от 8 до 32 Гигабайт. Равносильные частоты для DDR5 составят 3200 МГц в самом начале изготовления и достигнут значения 6400 МГц по мере того, как выход пригодных кристаллов будет возрастать, но свежий эталон — покорять рынок материнской платы.

Micron также сообщила о собственной альтернативе HBM, двухслойной памяти HMC (Гибрид Memory Cube). Организация именует HBM «плохой копией» HMC, так как заключительная владеет рядом перспектив, недосягаемых HBM и может соревноваться с ней в пропускной возможности. Кроме всего остального, Micron продолжает активно сотрудничать с Intel в подготовке и движении энергонезависимой памяти следующего поколения 3D XPoint. Подводя результаты, к примеру, что главными годами для рынка памяти, обосновываясь на имеющихся данных, можно представить 2018-й и 2019-й.